국내 최초 SiC 전력반도체 8인치 양산, 그 의미는?
코일즈
2026.07.24
아이큐랩이 국내 최초로 SiC(실리콘 카바이드) 전력반도체를 8인치 웨이퍼로 양산하며 90%의 높은 수율을 달성한 소식이 전해졌습니다. SiC 전력반도체는 전력 손실을 줄이고 효율을 높이는 데 큰 역할을 할 수 있어 전기차, 태양광 인버터 등 다양한 분야에서 주목받고 있습니다. 특히, 8인치 웨이퍼는 6인치 웨이퍼에 비해 더 많은 칩을 생산할 수 있어 생산성이 크게 향상됩니다.
SiC의 기술적 장점
SiC 반도체는 기존의 실리콘(Si)보다 훨씬 높은 전압과 온도를 견딜 수 있는 특성을 가지고 있습니다. 이러한 특성 덕분에 SiC 모듈은 높은 스위칭 주파수와 낮은 스위칭 손실을 실현할 수 있으며, 전력 밀도를 높일 수 있습니다. 예를 들어, Infineon의 CoolSiC MOSFET은 1200V의 전압에서 기존 Si IGBT보다 약 80% 낮은 스위칭 손실을 보이는 성능을 가지고 있습니다.
실무에서의 확인 포인트
국내 전력반도체 시장의 성장은 이제 막 시작되었다고 볼 수 있습니다. SiC 전력반도체의 양산이 이루어짐에 따라, 관련 기업들은 자사 제품의 성능 개선뿐만 아니라, SiC 기반 설계 시 고려해야 할 과열 관리, 전원 공급 설계 같은 문제도 함께 점검해야 할 것입니다. 향후 SiC 전력반도체의 채택이 증가함에 따라, 시장의 경쟁력도 한층 강화될 것으로 예상됩니다.