GaN 전력반도체 구동 IC 개발의 새로운 방향성
코일즈
2026.06.17
지니틱스가 GaN 전력반도체 구동 IC 개발 착수에 대한 뉴스가 전해졌습니다. GaN(갈륨 나이트라이드)은 높은 전압과 온도에서 작동할 수 있는 성질 덕분에, 특히 전력변환 소자에서 전력 밀도를 높이고 스위칭 속도를 개선하는 데 유리합니다. 이는 전기차와 같은 고성능 애플리케이션에서 점점 더 중요한 요소가 되고 있습니다.
이번 개발은 전기차용 GaN 파워모듈과도 관련이 있으며, 이는 전기차의 효율성을 한층 더 높이는데 기여할 것으로 기대됩니다. GaN 반도체는 기존의 실리콘(Si) 기반 소자에 비해 낮은 스위칭 손실과 높은 열전도성을 가지고 있어, 열 관리 및 시스템의 전반적인 성능 향상에 기여할 수 있습니다.
GaN 전력반도체가 일반적으로 사용하는 실리콘 기반 소자와 비교했을 때, 더 높은 주파수에서의 동작이 가능하므로, 전원공급장치의 크기를 줄이고 효율을 증가시킬 수 있습니다. 이는 특히 전기차의 전력망 설계에 있어서 중요한 요소입니다. 지니틱스의 GaN 전력반도체 구동 IC가 상용화된다면, 전기차의 성능뿐만 아니라 전체 전력 변환 시스템의 효율성을 높이는 데 중요한 역할을 할 것입니다.
이와 관련하여, 설계자들은 GaN 소자를 사용할 때 발생할 수 있는 고온 환경에서의 안정성, 스위칭 주파수에 따른 EMI(전자기 간섭) 문제, 그리고 PCB 레이아웃과 같은 설계 요소를 주의 깊게 살펴봐야 합니다. GaN 소자의 특성을 최대한 활용하기 위해서는 이러한 요소들이 설계에 어떻게 통합될 수 있는지를 고민해야 합니다.